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NTB004N10G
onsemi
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
11117 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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NTB004N10G
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12937928
DiGi Electronics Numéro de pièce
NTB004N10G-DGFabricant
onsemi
NTB004N10G
Description
MOSFET N-CH 100V 201A TO263Inventaire
11117 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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NTB004N10G Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
201A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11900 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
340W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTB004
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger NTB004N10G Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
NTB004N10G-DG
Fiches techniques
NTB004N10G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-NTB004N10GTR
488-NTB004N10GDKR
488-NTB004N10GCT
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NTB004N10G CAD Models
onsemi NTB004N10G PCB symbols & footprints
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