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onsemi
FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
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FDC5661N

Aperçu du produit

12969778

DiGi Electronics Numéro de pièce

FDC5661N-DG

Fabricant

onsemi
FDC5661N

Description

FET 60V 50.0 MOHM SSOT6

Inventaire

38300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
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FDC5661N Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant onsemi

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série PowerTrench®

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 60 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 4.3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 47mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 763 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 1.6W (Ta)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur TSOT-23-6

Emballage / Caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Numéro de produit de base FDC5661

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

FDC5661N-DG

Fiches techniques

FDC5661N

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FDC5661NCT
488-FDC5661NTR
488-FDC5661NDKR

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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-Channel FDC5661N ?

Le FDC5661N est un MOSFET N-Channel de 60V avec une résistance Rds On faible de 47mΩ à Vgs de 10V, un courant de drain continu de 4,3A, et une dissipation maximale de puissance de 1,6W. Conçu pour les applications à montage en surface avec un boîtier TSOT-23-6, il est adapté pour la commutation de puissance à haute efficacité.

Le MOSFET FDC5661N est-il compatible avec les conceptions standard de circuits imprimés en montage en surface ?

Oui, le FDC5661N est un MOSFET en montage en surface utilisant un boîtier TSOT-23-6, ce qui le rend compatible avec les méthodes d'assemblage standard sur PCB et convient aux designs compacts pour divers appareils électroniques.

Quelles applications peuvent tirer avantage de l’utilisation du MOSFET FDC5661N ?

Ce MOSFET est idéal pour la gestion de puissance, les alimentations à découpage, le contrôle de moteurs et les circuits de pilotes LED, grâce à sa haute tension et son faible Rds On, qui améliorent l'efficacité et la performance thermique.

Comment la dissipation de puissance et la plage thermique du FDC5661N influencent-elles son utilisation ?

Avec une dissipation maximale de 1,6W et une plage de température de fonctionnement allant de -55°C à 150°C, le FDC5661N peut être utilisé de manière fiable dans des environnements à haute température et pour la commutation de puissance sans risque de surchauffe.

Que dois-je savoir concernant l'achat et la garantie du MOSFET FDC5661N ?

Le FDC5661N est proposé en emballage bande & goulotte pour une intégration automatisée facile, avec un stock de plus de 34 000 unités. C’est un produit neuf et original de onsemi, conforme à la norme RoHS3, et il bénéficie d’une garantie constructeur standard ainsi que d’un support technique.

Assurance qualité (QC)

DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.

Assurance qualité
Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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