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BUK7E5R2-100E,127
NXP Semiconductors
NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
1255 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
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BUK7E5R2-100E,127
Aperçu du produit
12968167
DiGi Electronics Numéro de pièce
BUK7E5R2-100E,127-DGFabricant
NXP Semiconductors
BUK7E5R2-100E,127
Description
NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1Inventaire
1255 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
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BUK7E5R2-100E,127 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11810 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
349W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger BUK7E5R2-100E,127 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
BUK7E5R2-100E,127-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
HTSUS
0000.00.0000
Informations supplémentaires
Forfait standard
249
Autres noms
2156-BUK7E5R2-100E,127-954
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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BUK7E5R2-100E,127 CAD Models
NXP Semiconductors BUK7E5R2-100E,127 PCB symbols & footprints
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