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PSMN2R3-100SSEJ
Nexperia USA Inc.
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
120400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
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PSMN2R3-100SSEJ
Aperçu du produit
12993034
DiGi Electronics Numéro de pièce
PSMN2R3-100SSEJ-DGFabricant
Nexperia USA Inc.
PSMN2R3-100SSEJ
Description
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEInventaire
120400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
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PSMN2R3-100SSEJ Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
255A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
17200 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
341W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK88 (SOT1235)
Emballage / Caisse
SOT-1235
Numéro de produit de base
PSMN2R3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger PSMN2R3-100SSEJ Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
PSMN2R3-100SSEJ-DG
Fiches techniques
PSMN2R3-100SSE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
934661573118
5202-PSMN2R3-100SSEJTR
1727-PSMN2R3-100SSEJCT
1727-PSMN2R3-100SSEJDKR
1727-PSMN2R3-100SSEJTR
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PSMN2R3-100SSEJ CAD Models
Nexperia USA Inc. PSMN2R3-100SSEJ PCB symbols & footprints
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