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BSH205G2AR
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
28651 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 610mW (Ta), 10W (Tc) Surface Mount TO-236AB
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BSH205G2AR
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12948310
DiGi Electronics Numéro de pièce
BSH205G2AR-DGFabricant
Nexperia USA Inc.
BSH205G2AR
Description
MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABInventaire
28651 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 610mW (Ta), 10W (Tc) Surface Mount TO-236AB
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BSH205G2AR Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
421 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
610mW (Ta), 10W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSH205
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger BSH205G2AR Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
BSH205G2AR-DG
Fiches techniques
BSH205G2A
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-BSH205G2ARDKR
934661354215
1727-BSH205G2ARTR
1727-BSH205G2ARCT
5202-BSH205G2ARTR
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BSH205G2AR CAD Models
Nexperia USA Inc. BSH205G2AR PCB symbols & footprints
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