LND01K1-G Microchip Technology
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LND01K1-G

Aperçu du produit

12794311

DiGi Electronics Numéro de pièce

LND01K1-G-DG

Fabricant

Microchip Technology
LND01K1-G

Description

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

Inventaire

3471 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
LND01K1-G Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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LND01K1-G Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Microchip Technology

Emballage Tape & Reel (TR)

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 9 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 330mA (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 0V

rds activé (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id -

Vgs (max.) +0.6V, -12V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 46 pF @ 5 V

Fonctionnalité FET Depletion Mode

Dissipation de puissance (max.) 360mW (Ta)

Température de fonctionnement -25°C ~ 125°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur SOT-23-5

Emballage / Caisse SC-74A, SOT-753

Numéro de produit de base LND01

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger LND01K1-G Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

LND01K1-G-DG
Fiches techniques

LND01
Assemblage/origine PCN

Fab Site Addition Update 07/Oct/2015

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
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