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LND01K1-G
Microchip Technology
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
5821 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
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LND01K1-G
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12794311
DiGi Electronics Numéro de pièce
LND01K1-G-DGFabricant
Microchip Technology
LND01K1-G
Description
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5Inventaire
5821 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
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LND01K1-G Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
9 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
330mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
+0.6V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
46 pF @ 5 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-5
Emballage / Caisse
SC-74A, SOT-753
Numéro de produit de base
LND01
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger LND01K1-G Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
LND01K1-G-DG
Fiches techniques
LND01
Assemblage/origine PCN
Fab Site Addition Update 07/Oct/2015
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du microcircuit N-Channel MOSFET LND01K1-G ?
Le LND01K1-G est un MOSFET bipolaire à canal N en montage en surface, avec une tension drain-source de 9 V, un courant de drain continu de 330 mA et une dissipation de puissance maximale de 360 mW, adapté aux applications électroniques compactes.
Le MOSFET LND01K1-G est-il compatible avec les circuits électroniques standard ?
Oui, il est conçu en tant que composant en montage en surface SOT-23-5, compatible avec la plupart des assemblages PCB standard, et supporte des exigences de faible tension d’activation et de courant modéré.
Quels avantages offre le MOSFET LND01K1-G pour les applications de commutation de puissance ?
Ce MOSFET présente une faible résistance Rds On (max 1,4 Ω à 100 mA), une large gamme de températures de fonctionnement, et est conforme à la norme RoHS, le rendant fiable et respectueux de l’environnement pour la gestion de l’énergie.
Le MOSFET LND01K1-G peut-il fonctionner à haute température ?
Oui, il est conçu pour fonctionner efficacement de -25 °C à 125 °C, garantissant une performance stable dans diverses conditions environnementales.
Comment puis-je acheter le MOSFET LND01K1-G et quel support après-vente est disponible ?
Le MOSFET LND01K1-G est disponible en emballage bande et pellicule en stock, avec un niveau élevé d’inventaire, et bénéficie du support du fabricant pour la qualité et l’assistance.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
LND01K1-G CAD Models
Microchip Technology LND01K1-G PCB symbols & footprints
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