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IXTQ82N25P
IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
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IXTQ82N25P

Aperçu du produit

12821577

DiGi Electronics Numéro de pièce

IXTQ82N25P-DG

Fabricant

IXYS
IXTQ82N25P

Description

MOSFET N-CH 250V 82A TO3P

Inventaire

36641 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
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IXTQ82N25P Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Littelfuse

Emballage Tube

Série Polar

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 250 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 82A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 35mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 142 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 4800 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur TO-3P

Emballage / Caisse TO-3P-3, SC-65-3

Numéro de produit de base IXTQ82

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IXTQ82N25P-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
30

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
FKP250A
Sanken Electric USA Inc.
6190
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Dec 02, 2025
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Schnelle, pünktliche Lieferungen, alle Verpackungen sind perfekt auf den Schutz der Produkte abgestimmt.
Sich***rSein
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)

Quelles sont les principales caractéristiques et spécifications du MOSFET Littelfuse IXTQ82N25P ?

Le IXTQ82N25P est un MOSFET à canal N avec une tension nominale de 250 V, un courant de drain continu de 82 A et une dissipation de puissance de 500 W. Il possède un boîtier TO-3P et fonctionne dans une plage de températures de -55 °C à 150 °C, ce qui le rend adapté aux applications à haute intensité de courant et à haute tension.

Le MOSFET Littelfuse IXTQ82N25P est-il adapté aux alimentations à découpage et aux circuits à haute intensité de courant ?

Oui, ce MOSFET est conçu pour des applications à forte intensité de courant, avec un courant de drain maximal de 82 A et une résistance Rds(on) faible de 35 mΩ à une tension de commande de 10 V, ce qui en fait un choix idéal pour les alimentations à découpage, les pilotes de moteurs, et autres circuits de gestion de puissance.

Quelle est la compatibilité du MOSFET Littelfuse IXTQ82N25P avec différents circuits électroniques ?

Ce MOSFET est compatible avec divers circuits nécessitant une haute tension et un courant élevé, notamment dans l'automatisation industrielle, la conversion d'énergie et les systèmes automobiles. Il supporte une tension Vgs jusqu'à ±20 V et est adapté au montage en traversant avec un boîtier TO-3P.

Quels sont les avantages de choisir le MOSFET Littelfuse IXTQ82N25P par rapport à d’autres modèles ?

Ce MOSFET offre une tension maximale de 250 V, une résistance Rds(on) faible, ainsi qu'une capacité de dissipation de puissance robuste, garantissant des performances efficaces et une fiabilité dans des environnements exigeants. Sa conformité RoHS3 en fait également une option respectueuse de l’environnement.

Quelle est la garantie et le support après-vente pour le MOSFET Littelfuse IXTQ82N25P ?

En tant que produit neuf et d’origine, le IXTQ82N25P bénéficie généralement du support du fabricant et garantit la qualité ainsi que la fiabilité. Pour connaître les politiques spécifiques de garantie et d’après-vente, veuillez consulter le vendeur ou le service client officiel de Littelfuse.

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