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IXFT170N25X3HV
IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
764 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 170A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
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IXFT170N25X3HV
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12819004
DiGi Electronics Numéro de pièce
IXFT170N25X3HV-DGFabricant
IXYS
IXFT170N25X3HV
Description
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HVInventaire
764 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 170A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
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IXFT170N25X3HV Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X3
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268HV (IXFT)
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IXFT170N25X3HV Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IXFT170N25X3HV-DG
Fiches techniques
IXFx170N25X3(HV)
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
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Assurance qualité (QC)
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IXFT170N25X3HV CAD Models
IXYS IXFT170N25X3HV PCB symbols & footprints
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