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IXFR26N50Q
IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
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N-Channel 500 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
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IXFR26N50Q IXYS
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IXFR26N50Q

Aperçu du produit

12820331

DiGi Electronics Numéro de pièce

IXFR26N50Q-DG

Fabricant

IXYS
IXFR26N50Q

Description

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

Inventaire

885 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 500 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
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IXFR26N50Q Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant Littelfuse

Emballage -

Série HiPerFET™

État du produit Obsolete

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 500 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 24A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V

rds activé (max) @ id, vgs 200mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur ISOPLUS247™

Emballage / Caisse TO-247-3

Numéro de produit de base IXFR26

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IXFR26N50Q-DG

Fiches techniques

IXFR(26,24)N50Q

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
30

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
STW28NM50N
STMicroelectronics
15231
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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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