ISC030N10NM6ATMA1
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Infineon Technologies
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
3200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 21A (Ta), 179A (Tc) 3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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ISC030N10NM6ATMA1

Aperçu du produit

12968202

DiGi Electronics Numéro de pièce

ISC030N10NM6ATMA1-DG
ISC030N10NM6ATMA1

Description

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Inventaire

3200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 21A (Ta), 179A (Tc) 3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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ISC030N10NM6ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série OptiMOS™ 6

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 21A (Ta), 179A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 109µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 5200 pF @ 50 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 208W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PG-TDSON-8 FL

Emballage / Caisse 8-PowerTDFN

Numéro de produit de base ISC030N

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

ISC030N10NM6ATMA1-DG

Fiches techniques

ISC030N10NM6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
448-ISC030N10NM6ATMA1CT
448-ISC030N10NM6ATMA1TR
SP005427072
448-ISC030N10NM6ATMA1DKR

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