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ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
TRENCH >=100V PG-TSON-8
3010 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
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ISC022N10NM6ATMA1
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12968220
DiGi Electronics Numéro de pièce
ISC022N10NM6ATMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
ISC022N10NM6ATMA1
Description
TRENCH >=100V PG-TSON-8Inventaire
3010 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
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ISC022N10NM6ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™ 6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Ta), 230A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.24mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 147µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6880 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 254W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TSON-8-3
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
ISC022N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger ISC022N10NM6ATMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
ISC022N10NM6ATMA1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
SP005339558
448-ISC022N10NM6ATMA1CT
448-ISC022N10NM6ATMA1DKR
448-ISC022N10NM6ATMA1TR
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ISC022N10NM6ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies ISC022N10NM6ATMA1 PCB symbols & footprints
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