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IRFP4229PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
26444 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
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IRFP4229PBF
Aperçu du produit
12807142
DiGi Electronics Numéro de pièce
IRFP4229PBF-DGFabricant
Infineon Technologies
IRFP4229PBF
Description
MOSFET N-CH 250V 44A TO247ACInventaire
26444 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
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IRFP4229PBF Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4560 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
310W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IRFP4229
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IRFP4229PBF Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IRFP4229PBF-DG
Fiches techniques
IRFP4229PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
2156-IRFP4229PBF
SP001578046
INFINFIRFP4229PBF
Pièces alternatives
NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET IRFP4229PBF à canal N ?
Le IRFP4229PBF est un MOSFET à canal N haute performance, avec une tension de rupture de 250 V et un courant de drain continu de 44A. Il offre une faible résistance Rds On (46 milliOhms à 26A, 10V) et une dissipation maximale de puissance de 310W, le rendant adapté aux applications à haute puissance.
Quelles sont les applications typiques du MOSFET IRFP4229PBF ?
Ce MOSFET est idéal pour le commutateur de puissance, le contrôle de moteurs, les alimentations électriques et autres circuits électroniques à haute tension et haute intensité nécessitant une gestion efficace de l’énergie et une commutation rapide.
L'IRFP4229PBF est-il compatible avec des tensions de pilotage spécifiques ?
Oui, l'IRFP4229PBF nécessite une tension de commande de la grille d’au moins 10V pour optimiser la performance de Rds On et peut supporter une tension Vgs max de ±30V, ce qui le rend compatible avec les circuits de commande de puissance standard.
Comment est emballé et monté le IRFP4229PBF ?
Le MOSFET est livré dans un boîtier TO-247AC avec montage par perçage traversant, idéal pour une installation robuste et fiable dans divers dispositifs électroniques de puissance et dissipateurs thermiques pour une meilleure refroidissement.
Quelles sont les options de garantie et d’assistance pour l’achat du MOSFET IRFP4229PBF ?
Le IRFP4229PBF est proposé en produit neuf, d’origine, en stock, conforme à la norme RoHS3. L’achat inclut une garantie standard du fournisseur et une assistance. Assurez-vous d’acheter auprès de distributeurs agréés pour garantir la qualité du produit et le support après-vente.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
IRFP4229PBF CAD Models
Infineon Technologies IRFP4229PBF PCB symbols & footprints
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