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IRF150P221AKMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
3400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF150P221AKMA1
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12949169
DiGi Electronics Numéro de pièce
IRF150P221AKMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IRF150P221AKMA1
Description
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3Inventaire
3400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF150P221AKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
StrongIRFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
186A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6000 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IRF150P221AKMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IRF150P221AKMA1-DG
Fiches techniques
IRF150P221
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
SP005537806
448-IRF150P221AKMA1
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IRF150P221AKMA1 CAD Models
Infineon Technologies IRF150P221AKMA1 PCB symbols & footprints
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