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IPTG007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
3200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
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IPTG007N06NM5ATMA1
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12958794
DiGi Electronics Numéro de pièce
IPTG007N06NM5ATMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IPTG007N06NM5ATMA1
Description
MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8Inventaire
3200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
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IPTG007N06NM5ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
53A (Ta), 454A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
261 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
21000 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOG-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerSMD, Gull Wing
Numéro de produit de base
IPTG007N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IPTG007N06NM5ATMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IPTG007N06NM5ATMA1-DG
Fiches techniques
IPTG007N06NM5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,800
Autres noms
448-IPTG007N06NM5ATMA1TR
448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR
SP005430755
448-IPTG007N06NM5ATMA1CT
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IPTG007N06NM5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPTG007N06NM5ATMA1 PCB symbols & footprints
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