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IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
42100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1
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12992708
DiGi Electronics Numéro de pièce
IPT017N12NM6ATMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IPT017N12NM6ATMA1
Description
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInventaire
42100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™ 6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Ta), 331A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 275µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11000 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 395W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOF-8
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Numéro de produit de base
IPT017
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IPT017N12NM6ATMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IPT017N12NM6ATMA1-DG
Fiches techniques
IPT017N12NM6
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
448-IPT017N12NM6ATMA1TR
448-IPT017N12NM6ATMA1CT
448-IPT017N12NM6ATMA1DKR
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IPT017N12NM6ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT017N12NM6ATMA1 PCB symbols & footprints
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