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IPT017N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
MOSFET
2981 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N10NF2SATMA1
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12989458
DiGi Electronics Numéro de pièce
IPT017N10NF2SATMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IPT017N10NF2SATMA1
Description
MOSFETInventaire
2981 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N10NF2SATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
StrongIRFET™ 2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Ta), 294A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 216µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9300 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOF-8
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Numéro de produit de base
IPT017
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IPT017N10NF2SATMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IPT017N10NF2SATMA1-DG
Fiches techniques
IPT017N10NF2S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,800
Autres noms
448-IPT017N10NF2SATMA1TR
448-IPT017N10NF2SATMA1CT
SP005612527
448-IPT017N10NF2SATMA1DKR
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IPT017N10NF2SATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT017N10NF2SATMA1 PCB symbols & footprints
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