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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
7562 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
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IPD90P03P4L04ATMA2

Aperçu du produit

12948676

DiGi Electronics Numéro de pièce

IPD90P03P4L04ATMA2-DG
IPD90P03P4L04ATMA2

Description

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

Inventaire

7562 Pièces Nouvelles Originales En Stock
P-Channel 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
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IPD90P03P4L04ATMA2 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série OptiMOS®-P2

État du produit Active

FET Type P-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 30 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 90A (Tc)

rds activé (max) @ id, vgs 4.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 253µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V

Vgs (max.) +5V, -16V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 11300 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 137W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Grade Automotive

Qualification AEC-Q101

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PG-TO252-3-11

Emballage / Caisse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro de produit de base IPD90

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IPD90P03P4L04ATMA2-DG

Fiches techniques

IPD90P03P4L-04

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
448-IPD90P03P4L04ATMA2DKR
448-IPD90P03P4L04ATMA2TR
SP002325742
448-IPD90P03P4L04ATMA2CT

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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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