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IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89088 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1
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12999225
DiGi Electronics Numéro de pièce
IMZA120R007M1HXKSA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IMZA120R007M1HXKSA1
Description
SIC DISCRETEInventaire
89088 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
CoolSiC™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
225A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 47mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9170 nF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-4-8
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IMZA120R007M1HXKSA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Fiches techniques
IMZA120R007M1H
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques et spécifications du MOSFET N-Channel CoolSiC™ d'Infineon (IMZA120R007M1HXKSA1) ?
Ce MOSFET en carbure de silicium (SiC) possède une tension nominale de 1200V, un courant de drain continu de 225A à 25°C, et une dissipation de puissance allant jusqu'à 750W. Il est conçu pour une commutation à haute efficacité avec une résistance Rds On optimisée (maximum 9,9 mΩ à 108A et 18V).
Le MOSFET discret SIC d'Infineon est-il compatible avec des applications à haute température ?
Oui, ce MOSFET fonctionne dans une plage de température allant de -55°C à 175°C, ce qui le rend adapté aux environnements à haute température dans l'électronique de puissance et les applications industrielles.
Comment la technologie SiCFET bénéficie-t-elle à ce MOSFET par rapport aux dispositifs en silicium traditionnels ?
La technologie en carbure de silicium (SiC) offre des pertes de commutation plus faibles, une meilleure efficacité, et de meilleures performances thermiques, contribuant ainsi à réduire la consommation d'énergie et à améliorer la fiabilité du dispositif dans les systèmes de conversion d'énergie.
Quelles options de montage et d'emballage sont disponibles pour ce MOSFET, et est-il adapté à un montage en passage de trou ?
Le MOSFET est livré en boîtier PG-TO247-4, conçu pour un montage en traverses de trou, offrant un support mécanique robuste et une bonne gestion thermique pour les circuits de puissance.
Quels avantages offre l'achat de ce MOSFET directement auprès du fabricant en termes de garantie et de support ?
L'achat directement auprès d'Infineon garantit des produits authentiques et de haute qualité, avec un support technique fiable, assurant une performance optimale et la conformité aux normes internationales telles que RoHS et REACH.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
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