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Infineon Technologies
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1700 V 5.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
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IMBF170R1K0M1XTMA1

Aperçu du produit

12936845

DiGi Electronics Numéro de pièce

IMBF170R1K0M1XTMA1-DG
IMBF170R1K0M1XTMA1

Description

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Inventaire

2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 1700 V 5.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
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IMBF170R1K0M1XTMA1 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Série CoolSiC™

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie SiCFET (Silicon Carbide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 1700 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 5.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 12V, 15V

rds activé (max) @ id, vgs 1000mOhm @ 1A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 12 V

Vgs (max.) +20V, -10V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 275 pF @ 1000 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PG-TO263-7-13

Emballage / Caisse TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Numéro de produit de base IMBF170

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IMBF170R1K0M1XTMA1-DG

Fiches techniques

IMBF170R1K0M1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
SP002739692
448-IMBF170R1K0M1XTMA1CT
448-IMBF170R1K0M1XTMA1DKR
448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR

Pièces alternatives

NUMÉRO DE PIÈCE
FABRICANT
QUANTITÉ DISPONIBLE
NUMÉRO DE PIÈCE
PRIX UNITAIRE
TYPE DE SUBSTITUT
G2R1000MT17J
GeneSiC Semiconductor
14266
G2R1000MT17J-DG
2.9313
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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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