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IAUT300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
89822 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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DiGi Electronics Numéro de pièce
IAUT300N10S5N014ATMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N014ATMA1
Description
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8Inventaire
89822 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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IAUT300N10S5N014ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
360A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
216 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
16011 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOF-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IAUT300N10S5N014ATMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IAUT300N10S5N014ATMA1-DG
Fiches techniques
IAUT300N10S5N014
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
448-IAUT300N10S5N014ATMA1DKR
SP005427384
448-IAUT300N10S5N014ATMA1TR
448-IAUT300N10S5N014ATMA1CT
Reviews
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Dec 02, 2025
メールでの連絡も迅速で、配送日時について柔軟に対応してもらえました。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET N-Channel OptiMOS™ d'Infineon ?
Le MOSFET possède une tension drain-source de 100 V, un courant de drain continu de 360 A, une faible résistance Rds On de 1,4 mΩ, et une dissipation de puissance maximale de 375 W, ce qui le rend adapté aux applications de commutation à forte intensité.
Ce MOSFET est-il compatible avec la conception de circuits en montage en surface ?
Oui, il s'agit d'un composant en montage en surface avec un boîtier PG-HSOF-8-1, conçu pour une intégration facile sur des circuits imprimés en montage en surface.
Quelles applications conviennent à ce MOSFET de 100 V et 360 A ?
Ce MOSFET haute puissance est idéal pour les alimentations électriques, le contrôle de moteurs et d'autres applications de commutation à haute puissance où l'efficacité est essentielle.
Quelle est la plage de température de fonctionnement maximale pour ce MOSFET ?
Le MOSFET peut fonctionner dans une plage de température allant de -55°C à 175°C, adaptée à divers environnements industriels et électroniques.
Ce MOSFET est-il conforme aux normes RoHS et REACH ?
Oui, le MOSFET est conforme à la directive RoHS3 et n'est pas affecté par la réglementation REACH, garantissant une utilisation respectueuse de l'environnement et plus sûre.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
IAUT300N10S5N014ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUT300N10S5N014ATMA1 PCB symbols & footprints
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