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IAUC120N06S5L032ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
60018 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 60 V 120A (Tj) 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
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IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon Technologies
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IAUC120N06S5L032ATMA1

Aperçu du produit

12945927

DiGi Electronics Numéro de pièce

IAUC120N06S5L032ATMA1-DG
IAUC120N06S5L032ATMA1

Description

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34

Inventaire

60018 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 60 V 120A (Tj) 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Quantité
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  • 10 1.4585 14.5850
  • 30 1.3047 39.1410
  • 100 1.1481 114.8100
  • 500 1.0777 538.8500
  • 1000 1.0461 1046.1000
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IAUC120N06S5L032ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Tape & Reel (TR)

Série OptiMOS™

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 60 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 120A (Tj)

rds activé (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 44µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 51.5 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±16V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 3823 pF @ 30 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc)

Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur PG-TDSON-8-34

Emballage / Caisse 8-PowerTDFN

Numéro de produit de base IAUC120

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

IAUC120N06S5L032ATMA1-DG

Fiches techniques

IAUC120N06S5L032

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IAUC120N06S5L032ATMA1CT
448-IAUC120N06S5L032ATMA1TR
SP003244394
448-IAUC120N06S5L032ATMA1DKR

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Prévention de la contrefaçon et des défauts

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Contrôle visuel et emballage

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