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IAUC100N04S6N022ATMA1
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
1000200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
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IAUC100N04S6N022ATMA1
Aperçu du produit
12954108
DiGi Electronics Numéro de pièce
IAUC100N04S6N022ATMA1-DGFabricant
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
Description
IAUC100N04S6N022ATMA1Inventaire
1000200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
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IAUC100N04S6N022ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.26mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 32µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2421 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IAUC100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger IAUC100N04S6N022ATMA1 Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
IAUC100N04S6N022ATMA1-DG
Fiches techniques
IAUC100N04S6N022
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IAUC100N04S6N022ATMA1CT
SP001790496
448-IAUC100N04S6N022ATMA1TR
448-IAUC100N04S6N022ATMA1DKR
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la fonction principale du MOSFET Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1 ?
Le MOSFET Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1 est un MOSFET à canal N conçu pour des applications de commutation, capable de supporter des courants élevés jusqu'à 100A et des tensions jusqu'à 40V, ce qui le rend adapté aux usages automobiles et à la gestion de puissance.
Ce MOSFET IAUC100N04S6N022ATMA1 est-il adapté aux applications automobiles ?
Oui, ce MOSFET est conforme aux normes AEC-Q101 et est spécialement conçu pour les environnements automobiles, garantissant fiabilité et performance dans des conditions exigeantes.
Quelles sont les principales caractéristiques électriques de ce MOSFET ?
Ce composant offre une tension drain-source de 40V, une Rds(on) de 2,26 milliohm à 50A et 10V, ainsi qu’un courant de drain continu maximum de 100A à 25°C, assurant une commutation efficace de la puissance.
Comment l’emballage du IAUC100N04S6N022ATMA1 influence-t-il son installation ?
Ce MOSFET est emballé en ruban et poche (Tape & Reel) avec un boîtier PowerTDFN 8-pôles, adapté pour le montage en surface sur cartes imprimées, facilitant la fabrication automatisée.
Quels sont les avantages de choisir ce MOSFET par rapport à d’autres types ?
Ce MOSFET se distingue par sa faible Rds(on), sa capacité à supporter de forts courants, et une plage de température de fonctionnement robuste allant de -55°C à 175°C, offrant une gestion efficace de la puissance et une grande durabilité dans des applications exigeantes.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
IAUC100N04S6N022ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUC100N04S6N022ATMA1 PCB symbols & footprints
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