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FS03MR12A6MA1LB
Infineon Technologies
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
36100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB
Aperçu du produit
12963909
DiGi Electronics Numéro de pièce
FS03MR12A6MA1LB-DGFabricant
Infineon Technologies
FS03MR12A6MA1LB
Description
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDDInventaire
36100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Emballage
-
Série
HybridPACK™
État du produit
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
400A
rds activé (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 240mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1320nC @ 15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
42600pF @ 600V
Puissance - Max
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
AG-HYBRIDD-2
Numéro de produit de base
FS03MR12
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger FS03MR12A6MA1LB Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
FS03MR12A6MA1LB-DG
Fiches techniques
FS03MR12A6MA1LB
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
6
Autres noms
448-FS03MR12A6MA1LB
SP002725554
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
환경을 생각하는 포장이 너무 좋아서 재주문하고 싶어요.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la tension nominale du dispositif MOSFET de la série Infineon FS03MR12A6MA1LB ?
Le module MOSFET possède une tension drain-source (Vdss) de 1200 V (1,2 kV), adapté aux applications haute tension dans l'automobile et l'industrie.
La série hybride de MOSFETs Infineon est-elle compatible avec des applications nécessitant un courant élevé ?
Oui, cette série de MOSFETs peut supporter un courant de drain continu pouvant atteindre 400 A à 25 °C, ce qui la rend idéale pour l'électronique de puissance à forte intensité.
Quels sont les principaux avantages d'utiliser des MOSFETs en carbure de silicium (SiC) comme la série HybridPACK™ ?
Les MOSFETs en carbure de silicium offrent une efficacité supérieure, des vitesses de commutation plus rapides et de meilleures performances thermiques par rapport aux dispositifs en silicium traditionnels, améliorant ainsi la fiabilité globale du système.
Le module MOSFET d Infineon peut-il être utilisé dans les entraînements de moteurs industriels et les convertisseurs de puissance ?
Oui, le FS03MR12A6MA1LB est conçu pour des applications haute tension et courant élevé, telles que les entraînements de moteurs industriels, les onduleurs de puissance et autres systèmes de conversion d'énergie.
Quel est le type de montage et l'emballage de ce module MOSFET, et est-il conforme à la norme RoHS ?
Ce module est un module de montage en châssis avec un emballage AG-HYBRIDD-2, et il est conforme à la directive RoHS3, garantissant une fabrication respectueuse de l'environnement.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
FS03MR12A6MA1LB CAD Models
Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB PCB symbols & footprints
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