BSS123 Good-Ark Semiconductor
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BSS123

Aperçu du produit

12787920

DiGi Electronics Numéro de pièce

BSS123-DG
BSS123

Description

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100

Inventaire

1000200 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23
BSS123 Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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En Stock (Tous les prix sont en USD)
  • QTÉ Prix Cible Prix total
  • 3000 0.0211 63.3000
  • 6000 0.0211 126.6000
  • 15000 0.0211 316.5000
  • 30000 0.0211 633.0000
  • 75000 0.0211 1582.5000
  • 150000 0.0211 3165.0000
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BSS123 Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Emballage Tape & Reel (TR)

Série -

État du produit Active

FET Type N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss) 100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 190mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs 5Ohm @ 150mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.74 nC @ 10 V

Vgs (max.) ±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 31.6 pF @ 50 V

Fonctionnalité FET -

Dissipation de puissance (max.) 300mW (Ta)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur SOT-23

Emballage / Caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

BSS123-DG

Fiches techniques

BSS123

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
4786-BSS123DKR
4786-BSS123TR
4786-BSS123CT
Certification DIGI
Blogs et Articles