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G2R120MT33J
GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH TO263-7
1851 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 3300 V 35A Surface Mount TO-263-7
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G2R120MT33J
Aperçu du produit
12945382
DiGi Electronics Numéro de pièce
G2R120MT33J-DGFabricant
GeneSiC Semiconductor
G2R120MT33J
Description
SIC MOSFET N-CH TO263-7Inventaire
1851 Pièces Nouvelles Originales En Stock
N-Channel 3300 V 35A Surface Mount TO-263-7
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G2R120MT33J Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Emballage
Tube
Série
G2R™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
3300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
156mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3706 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
G2R120
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger G2R120MT33J Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
G2R120MT33J-DG
Fiches techniques
SiC MOSFETs Selector Guide
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1242-G2R120MT33J
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G2R120MT33J CAD Models
GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J PCB symbols & footprints
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