BSS8402DW-7-G Diodes Incorporated
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BSS8402DW-7-G

Aperçu du produit

12967047

DiGi Electronics Numéro de pièce

BSS8402DW-7-G-DG

Fabricant

Diodes Incorporated
BSS8402DW-7-G

Description

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363

Inventaire

Demande de devis en ligne
Mosfet Array 60V, 50V 115mA (Ta), 130mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-363
FET, MOSFET Arrays
BSS8402DW-7-G Fiche technique
Quantité
Minimum 1

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BSS8402DW-7-G Spécifications techniques

Catégorie FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays

Fabricant Diodes Incorporated

Emballage -

Série -

État du produit Obsolete

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Configuration N and P-Channel Complementary

Fonctionnalité FET -

Tension de vidange à la source (Vdss) 60V, 50V

Courant - drain continu (id) @ 25°C 115mA (Ta), 130mA (Ta)

rds activé (max) @ id, vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds 50pF @ 25V, 45pF @ 25V

Puissance - Max 200mW (Ta)

Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage Surface Mount

Emballage / Caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Ensemble d’appareils du fournisseur SOT-363

Numéro de produit de base BSS8402

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Télécharger BSS8402DW-7-G Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML

BSS8402DW-7-G-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS ROHS3 Compliant
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-BSS8402DW-7-GTR
Certification DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
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Companines Registry
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ASA Certificate
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UKAS
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ESD Certificate
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