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BLC9G22XS-120AGWTZ
Ampleon USA Inc.
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1278-1
3400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
RF Mosfet 28 V 200 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.1dB 120W SOT1278-1
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BLC9G22XS-120AGWTZ
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12977644
DiGi Electronics Numéro de pièce
BLC9G22XS-120AGWTZ-DGFabricant
Ampleon USA Inc.
BLC9G22XS-120AGWTZ
Description
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1278-1Inventaire
3400 Pièces Nouvelles Originales En Stock
RF Mosfet 28 V 200 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.1dB 120W SOT1278-1
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BLC9G22XS-120AGWTZ Spécifications techniques
Catégorie
Transistors, FETs, MOSFETs, FET RF, MOSFET
Emballage
-
Série
BLC
État du produit
Obsolete
Technologie
LDMOS
Configuration
Dual, Common Source
Fréquence
2.11GHz ~ 2.2GHz
Gagner
17.1dB
Tension - Test
28 V
Courant nominal (ampères)
1.4µA
Chiffre de bruit
-
Courant - Test
200 mA
Puissance - Sortie
120W
Tension nominale
65 V
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-1278-1
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT1278-1
Numéro de produit de base
BLC9
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Télécharger BLC9G22XS-120AGWTZ Spécification du produit (PDF)
Fiche de Données HTML
BLC9G22XS-120AGWTZ-DG
Fiches techniques
BLC9G22XS-120AGWT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Informations supplémentaires
Forfait standard
20
Autres noms
934960169517
1603-BLC9G22XS-120AGWTZDKR-DG
1603-BLC9G22XS-120AGWTZTR
1603-BLC9G22XS-120AGWTZDKR
1603-BLC9G22XS-120AGWTZCT
1603-BLC9G22XS-120AGWTZ
1603-BLC9G22XS-120AGWTZTR-DG
1603-BLC9G22XS-120AGWTZCT-DG
Reviews
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Dec 02, 2025
Der After-Sales-Service ist hervorragend — schnelle Hilfestellung bei allen Anliegen.
Dec 02, 2025
Their customer support team is approachable and quick to help with any concerns.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Questions fréquemment posées (FAQ)
Quelle est la fonction principale du RF MOSFET BLC9G22XS-120AGWTZ ?
Le BLC9G22XS-120AGWTZ est un MOSFET RF haute puissance conçu pour des applications d'amplification dans la gamme de fréquence de 2,11 GHz à 2,2 GHz. Il peut délivrer jusqu'à 120 W de puissance de sortie avec un gain de 17,1 dB.
Le BLC9G22XS-120AGWTZ est-il adapté aux circuits d'amplificateurs RF à haute fréquence ?
Oui, ce MOSFET RF est spécialement optimisé pour les circuits d'amplificateurs RF à haute fréquence, fonctionnant entre 2,11 GHz et 2,2 GHz, ce qui le rend idéal pour diverses applications en communication et diffusion RF.
Quelles sont les principales caractéristiques techniques du MOSFET BLC9G22XS-120AGWTZ ?
Les caractéristiques clés incluent une tension maximale de 28 V, un courant de drain de 200 mA, une puissance de sortie de 120 W et un gain de 17,1 dB. Il est encapsulé en boîtier SOT-1278-1 en montage de surface, adapté aux dispositifs compacts.
Le BLC9G22XS-120AGWTZ est-il conforme aux normes RoHS et quel est son type d'emballage ?
Oui, ce MOSFET est conforme à la norme RoHS3, assurant une fabrication respectueuse de l'environnement, et il est livré dans un boîtier SOT-1278-1 en montage de surface pour une intégration facile sur les cartes RF.
Quelle est la disponibilité et quelle est la garantie pour ce MOSFET RF ?
Le BLC9G22XS-120AGWTZ est en stock avec plus de 3 154 unités disponibles. Cependant, veuillez noter que ce produit est obsolète et pourrait ne pas convenir pour les nouvelles conceptions. Renseignez-vous auprès du fournisseur concernant la garantie et le support.
Assurance qualité (QC)
DiGi garantit la qualité et l'authenticité de chaque composant électronique grâce à des inspections professionnelles et à des échantillonnages par lots, assurant une approche fiable de l'approvisionnement, des performances stables et la conformité aux spécifications techniques, aidant ainsi les clients à réduire les risques de la chaîne d'approvisionnement et à utiliser les composants en toute confiance dans leur production.
BLC9G22XS-120AGWTZ CAD Models
Ampleon USA Inc. BLC9G22XS-120AGWTZ PCB symbols & footprints
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